堀内 鷹之君のSiC結晶成長プロセスに関する論文が Cryst. Res. Technol.に受理されました

数値シミュレーションによるSiC結晶成長プロセスに関する論文が Crystal Research & Technologyに受理されました.

"The effect of crucible rotation and crucible size in top-seeded solution growth of single crystal silicon carbide", 

Takashi Horiuchi, Lei Wang, Atsushi Sekimoto, Yasunori Okano, Takuya Yamamoto, Toru Ujihara, Sadik Dost,  Crystal Research and Technology (accepted)