堀内 鷹之君のSiC結晶成長プロセスに関する論文が Cryst. Res. Technol.に受理されました
数値シミュレーションによるSiC結晶成長プロセスに関する論文が Crystal Research & Technologyに受理されました.
"The effect of crucible rotation and crucible size in top-seeded solution growth of single crystal silicon carbide",
Takashi Horiuchi, Lei Wang, Atsushi Sekimoto, Yasunori Okano, Takuya Yamamoto, Toru Ujihara, Sadik Dost, Crystal Research and Technology (accepted)
