A. 著書

(1) 岡野泰則：化学工学　改訂第3版　–解説と演習- 、第2章流動（pp.35-70）担当、化学工学会監修、多田豊編、朝倉書店（2008）. （第3版、化学工学　－解説と演習－、編集および第2章流動担当、化学工学編、槇書店（2006）の改訂版）.

(2) Y.Okano and S.Dost ：Modelling the THM crystal growth process under crucible rotation and magnetic fields in “Crystal Growth under Applied Fields” Edited by S.Dost and Y.Okano, Transworld Research Network ,pp.193-214 (2007).

(3) Y. Hayakawa, K. Balakrishnan, K. Arafune, T. Ozawa, Y. Okano, A. Hirata and M. Kumagawa：Microgravity experiments on dissolution and crystallization of InGaSb in “Crystal Growth under Microgravity” Edited by Y.Hayakawa, Transworld Research Network , pp. 1-50 (2005).

(4) Y.Okano and S.Dost： Numerical study of transport phenomena in crystal growth under microgravity fields in “Crystal Growth under Microgravity” Edited by Y.Hayakawa, Transworld Research Network , pp.51-79 (2005).

(5) 岡野泰則：アドバンスト　エレクトロニクス　シリーズ　I-4、バルク結晶成長技術（干川圭吾編集）、14章　対流、熱流シミュレーション、培風館、pp.343-360 (1994).

(6) N.Imaishi, T,Tsukada,M.Hozawa, Y.Okano and A.Hirata Study of the Czochralski Growth of Oxide Single Crystal, in "Heat and Mass Transfer in Materials Processing",Hemisphere, pp.123-136 (1992).

(7) 岡野泰則：CVDハンドブック（化学工学会編、分担執筆）朝倉書店、pp.450-461 (1991).

(8) 岡野泰則：熱物性ハンドブック（日本熱物性学会編、分担執筆） 養賢堂 、pp.233-236 (1990).

B. 総説、解説記事・参考論文（査読なし）等

(1) 相変化制御、（高木洋平、岡野泰則）化学工学、73, pp.477-478 (2009).

(2) 融液からの単結晶成長における移動現象、（岡野泰則）応用物理、74, pp.613-616 (2005) .

(3) 低放射線被曝型医療診断装置用結晶の作製、（岡野泰則）（財）浜松科学技術研究振興会情報誌、財団ニュース、4, pp.46-47 (2003).

(4) GaSb/InSb/GaSbサンドイッチ構造試料溶融に及ぼす自然対流、マランゴニ対流の影響に関する数値解析、（岡野泰則、早川泰弘、熊川征司、平田彰、S.Dost）日本マイクログラビティ応用学会誌、19, pp.24-29 (2002).

(5) Numerical simulation of crystal growth of CdZnTe by vertical gradient freezing method (Y.Kawaguchi, H.Kondo, Y.Okano and S.Dost) Progress in Transport Phenomena, Eds. S.Dost, H.Struchtrup & I.Dincer, Elsevier, pp.587-592 (2002).

(6) 石英／シリコン融液系における酸素移動現象に関する数値解析;縦磁場印加の効果、(酒井奨、黄新明、干川圭吾、岡野泰則) 化学工学シンポジウムシリ－ズ、 75, pp.37-43（2001）.

(7) THMによる化合物半導体の結晶成長における固液界面形状制御、(大久保俊介、岡野泰則、S. Dost) 化学工学シンポジウムシリ－ズ 、75, pp.54-63（2001）.

(8) VGF法による化合物半導体結晶成長時の融液内対流制御、(近藤宏樹、酒井奨、岡野泰則) 化学工学シンポジウムシリ－ズ、75, pp.44-53（2001）.

(9) 化合物半導体融液内における自然対流とマランゴニ対流の共存効果、(鈴村貴弘、梅村鎮基、岡野泰則) 化学工学シンポジウムシリ－ズ、75, pp.20-29（2001）.

(10) 微小重力下における化合物半導体融液内対流に及ぼす重力揺らぎの影響、(梅村鎮基、酒井奨、岡野泰則) 化学工学シンポジウムシリ－ズ、75, pp.1-10（2001）.

(11) 航空機利用による微小重力環境下におけるInGaSb半導体の結晶成長、（早川泰弘、K.Balakrishunan、柴田尚弘、小松秀輝、中村徹郎、山田哲生、D.Krishnamurthy、小山忠信、小澤哲夫、岡野泰則、宮澤政文、平田彰、新船幸二、S.Dost、Le.H.Dao、熊川征司）日本マイクログラビティ応用学会誌、18, pp.97-101 (2001).

(12) Numerical Simulation for dissolution processes of InGaSb semiconductors、（T.Ozawa, Y.Hayakawa, Y.Okano, H.Adachi, N.Morio, K.Balakrishnan, L.H.Dao and M.Kumagawa）Advances in Computational Engineering Science, Eds by S.N.Atluri and F.W.Brust, Tech Science Press, vol.1, pp.328-333 (2000).

(13) 微小重力下と地上におけるGaSb/InSb/GaSb試料の溶解実験と数値解析、（早川泰弘、岡野泰則、平田彰、今石宣之、熊切康雄、X.Zhong、X.Xie、B.Yuan、F.Wu、H.Liu、小山忠信、山口十六夫、熊川征司） 静岡大学電子工学研究所研究報告、34, pp.1-8 (2000).

(14) THM法による化合物半導体結晶育成の数値解析、（西野伸作、大久保俊介、岡野泰則）化学工学シンポジウムシリ－ズ、72, pp.152-161（2000）.

(15) GaSb/InSb/GaSb融解時の流動、熱・物質移動現象に関する数値解析、（岡野泰則、梅村鎮基、熊川征司、早川泰弘、平田彰） 化学工学シンポジウムシリ－ズ、72, pp.162-171（2000）.

(16) Numerical and experimental study on Marangoni Convection in a floating zone under microgravity field (Y.Okano, S.Kunikata, S.Sakai, T.Fujioka, A.Hirata, M.Sakurai, M.Koyama and T.Morita) Advances in Computational Engineering Science, Eds by S.N.Atluri and G.Yagawa, pp.232-237 (1997).

(17) 微小重力環境下（IML-2）におけるIn-GaSb-Sb融液混合実験、（早川泰弘、興津和彦、平田彰、岡野泰則、今石宣之、依田真一、大井田俊彦、小山忠信、山口十六夫、熊川征司）静岡大学電子工学研究所研究報告、32, pp.1-6 (1997).

(18) 垂直ブリッジマン法による単結晶作製時の対流・熱移動現象に関する数値解析、（清水順、森田貴弘、岡野泰則）静岡大学工学部研究報告　No.48, pp.7-33 (1997).

(19) 電子材料用バルク単結晶作製時の移動現象（岡野泰則、酒井　奨）化学工学、61、 pp.949-952 (1997).

(20) Numerical and experimental study on Marangoni Convection in a floating zone under microgravity field (Y.Okano, S.Kunikata, S.Sakai, T.Fujioka, A.Hirata, M.Sakurai, M.Koyama and T.Morita) Advances in Computational Engineering Science, Eds by S.N.Atluri and G.Yagawa, pp.232-237 (1997).

(21) 化合物半導体単結晶作製時の融液内マランゴニ対流（岡野泰則、酒井　奨、國方誠一）静岡大学工学部研究報告　No.47, pp.45-49 (1996).

(22) 濃度差マランゴニ対流に基づく多元系化合物半導体融液の均一分散・混合化（平田　彰、新船幸二、藤原省悟、熊川征司、早川泰弘、興津和彦、今石宣之、安廣祥一、岡野泰則、酒井奨、依田真一、大井田俊彦）日本マイクログラビティ応用学会誌13、pp.165-170 (1996).

(23) 多元系化合物半導体融液の均一分散・混合化（平田彰、今石宣之、熊川征司、早川泰弘、岡野泰則、大坂敏明、橘正人、西澤伸一）宇宙開発事業団報告、IML-2宇宙実験成果報告、pp.259-270(1996年3月).

(24) 水平ボ－ト内対流に関する数値解析（酒井奨、岡野泰則）化学工学シンポジウムシリ－ズ51、化学工学における流れの数値解析と実験的研究の現状と課題、pp.67-72（1996）.

(25) μg環境下におけるInGaSb結晶成長に関する研究－(1)地上参照実験－（興津和彦、早川泰弘、山口十六夫、岡野泰則、平田彰、橘正人、今石宣之、熊川征司）静岡大学大学院電子科学研究科研究報告、16, pp.7-12 (1994).

(26) 酸化物単結晶作成における内部輻射　－　結晶の色と熱移動　－ (岡野泰則、福田承生) 日本結晶成長学会誌, 19 , pp.274-281(1993).

(27) 単結晶育成技術の現状 (福田承生、岡野泰則) 化学工学, 55, pp. 275-277 (1991).

(28) Czochralski(CZ)法による酸化物単結晶育成時の融液内対流に関する基礎研究 (平田　彰、橘正人、岡野泰則、宋田孝之、鈴木克夫) 旭硝子財団研究報告、 58 , pp.227-236 (1991).

(29) 単結晶育成技術の現状 (福田承生、岡野泰則 ) 化学工学、55, pp. 275-277 (1991).

(30) バルク単結晶育成時の融液内自然対流、マランゴニ対流とそれらに及ぼす磁場印加の影響(岡野泰則、高野直幸、伊藤正康、平田彰)早稲田大学理工学研究所報告、123, pp.60-70 (1989).

(31) ＭＯＶＰＥ法によるＧａＡｓ単原子層成長 (平田彰、岡野泰則、目黒多加志, 青柳克信 ) 化学工業, 39, 473-481 (1988).

(32) 異相接触界面を通しての諸移動現象に関する数値解析的研究 (平田彰、岡野泰則、西澤伸一) 早稲田大学情報科学研究教育センタ－紀要、8, pp.9-22 (1988).

(33) 電子材料用単結晶作成時のマランゴニ対流 (平田彰、岡野泰則 ) 化学工学、50,pp.348-349 (1986).

(34) 物質移動論 (平田彰、 岡野泰則) 化学工学, 48 , pp.236-243 (1984).

(35) 膜と物質移動 (竹沢真吾、 岡野泰則、酒井清孝、平田彰 ) 膜,  8 , pp.340-350(1983).

以上